高效利用资源
该系统采用预编程配方，可在无人值守的情况下实现一致的等离子 FIB 逐层剥离，并保持设备的完整性，从而增强您的研究能力。
专有化学集成
受益于氙等离子 FIB 与 TESCAN 的气体化学工艺可在当代半导体节点上实现最佳延迟。
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使用 Nanoflat 和 C-maze 化学方法自动逐层剥离 7 纳米 FinFET CPU 器件的多个底层。
定制和
一致性
利用预定义模板制作和应用独特的逐层剥离工艺，确保在不同样品上的统一应用和可重复性。
深入
监测
利用 TESCAN 逐层剥离模块中的峰值识别功能，通过精密的终点检测跟踪逐层剥离进度，从而实现精确停机。
A) 在逐层剥离过程中对 FIB 终点信号进行实时峰值检测。
B) 14 纳米器件逐层剥离到 M0。在 500 eV 下进行成像和探测。
不间断
保证
依靠自动流程，在延迟到达关键层之前终止延迟，保障设备功能。
Essence™ 自动逐层剥离的高级应用
增强成像
利用 1 kV 以下的扫描电子显微镜成像技术实现明显的电压对比和快速失效识别。
化学选项
有多种逐层剥离化学试剂可供选择，如 Nanoflat、Chase 和 C-maze，适合各种类型的样品。
Essence™ 模块
利用 Essence™ 逐层剥离模块对整个 3D NAND 堆栈进行均匀蚀刻，确保进行全面分析。