掌控IC封装失效分析，
采用TESCAN解决方案

感受等离子FIB-SEM的实力
体验TESCAN大体积工作流程的创新

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优化半导体失效分析：激光切割与氙离子FIB-SEM相结合的力量

释放独立ps激光切割与Plasma FIB-SEM相结合的全部潜力，从此又快又准的微电子器件失效分析比以前更容易。在我们最新的论文中，了解如何通过系统同步连续操作来最大限度地提高生产力!

随着半导体的发展，集成电路封装失效分析实验室面临着前所未有的挑战。应对复杂的半导体失效分析需求、不断发展的封装架构、不断缩小的功能以及新出现的特殊和敏感材料是一项艰巨的任务。与此同时，全球半导体公司竞相为精密通信设备和多功能消费电子产品开发最先进的芯片、封装和芯片组。

常见的IC设计和IC封装制造问题：

分散的导电颗粒
电镀问题
导线和带状连接失效
与湿度有关的失效
封装（塑封料）失效
金属间化合物的形成
EOS/ESD相关
疲劳裂纹
Micro-bump 孔洞
线路断裂和电迁移
TSV芯片的翘曲

用最先进的TESCAN解决方案改造可持续的IC封装失效分析

可持续的集成电路封装失效分析依赖于 FA 工具提供的各种专业知识和广泛的非破坏性和破坏性程序。TESCAN 为客户提供创新解决方案，包括非破坏性Micro-CT 失效分析应用、等离子 FIB-SEM SOLARIS X 以及将激光烧蚀和等离子 FIB-SEM 技术完美结合的大容量工作流程。

此外，TESCAN 还与欧洲合作伙伴共同参与 FA4.0，该项目旨在为众多失效分析仪器建立更流畅的失效分析工作流程，并为微电子领域失效分析实验室的数字化提供数据管理。有关 FA4.0 的更多信息，请参阅我们的 "洞察 "部分！