TESCAN AMBER X 2

先进半导体逐层剥离技术

用于逐层剥离的 TESCAN AMBER X 2

均匀的
逐层剥离

均匀逐层剥离

利用我们为 10 纳米以下技术节点优化定制的 Nanoflat Chase 和 C-maze 气体化学成分,实现一致的无伪影延迟。

保持器件
完整

保持器件完整

利用我们精确的低 kV 等离子 FIB 铣削技术,采用惰性氙离子进行精细样品加工,从而保持电气特性。

失效
定位

失效定位

通过改进镜筒内检测技术进行有效的无源电位衬度成像,从而简化缺陷隔离工作。

逐层剥离
自动化

Delyering 自动化

利用我们的智能 TESCANDelayeringTM 软件简化端点确定工作,自动延迟到目标层。

电性
分析

电性分析

利用行业领先的且与电镜兼容极好的纳米探针解决方案,促进电性失效的原位验证或鉴定。

用户
生产力

用户生产力

通过直观的 TESCAN EssenceTM 图形用户界面,提高各种专业水平用户的操作效率。

了解 TESCAN AMBER X 2

用于逐层剥离

半导体逐层剥离动画
下载 Imina 5 纳米晶体管的特性分析
下载 Imina 低电阻失效定位

用于逐层剥离的 TESCAN AMBER X 2 的优势

利用基于扫描电子显微镜(SEM)的纳米探针技术,对各种半导体节点上的 NMOS 和 PMOS 晶体管进行细致表征,轻松精确定位层,并进行有效的逐层剥离。

基于扫描电子显微镜的<br>深度纳米探针技术

基于扫描电子显微镜的深度纳米探测

利用先进的基于 SEM 的
Nanoprobing 来准确
表征 NMOS 和 PMOS
晶体管,涵盖
半导体节点,包括
22、14、10 和 5 纳米。

定位准确的均匀逐层剥离

定位准确的均匀逐层剥离

先进的自动化功能可智能识别并停止堆栈内的指定层,从而实现细致均匀的延时。

均匀的大面积逐层剥离

均匀的大面积逐层剥离

利用我们的专用 "钻孔 "喷嘴,可确保在 300 × 300μm2 的大面积范围内进行广泛、均匀的延时。 

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