TESCAN AMBER X 2
先进半导体逐层剥离技术
用于逐层剥离的 TESCAN AMBER X 2
均匀的
逐层剥离

利用我们为 10 纳米以下技术节点优化定制的 Nanoflat Chase 和 C-maze 气体化学成分,实现一致的无伪影延迟。
保持器件
完整

利用我们精确的低 kV 等离子 FIB 铣削技术,采用惰性氙离子进行精细样品加工,从而保持电气特性。
失效
定位

通过改进镜筒内检测技术进行有效的无源电位衬度成像,从而简化缺陷隔离工作。
逐层剥离
自动化

利用我们的智能 TESCANDelayeringTM 软件简化端点确定工作,自动延迟到目标层。
电性
分析

利用行业领先的且与电镜兼容极好的纳米探针解决方案,促进电性失效的原位验证或鉴定。
用户
生产力

通过直观的 TESCAN EssenceTM 图形用户界面,提高各种专业水平用户的操作效率。
了解 TESCAN AMBER X 2
用于逐层剥离
用于逐层剥离的 TESCAN AMBER X 2 的优势
利用基于扫描电子显微镜(SEM)的纳米探针技术,对各种半导体节点上的 NMOS 和 PMOS 晶体管进行细致表征,轻松精确定位层,并进行有效的逐层剥离。

基于扫描电子显微镜的深度纳米探测
利用先进的基于 SEM 的
Nanoprobing 来准确
表征 NMOS 和 PMOS
晶体管,涵盖
半导体节点,包括
22、14、10 和 5 纳米。

定位准确的均匀逐层剥离
先进的自动化功能可智能识别并停止堆栈内的指定层,从而实现细致均匀的延时。

均匀的大面积逐层剥离
利用我们的专用 "钻孔 "喷嘴,可确保在 300 × 300μm2 的大面积范围内进行广泛、均匀的延时。
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