提高样品制备通量
TESCAN SOLARIS X 2 将 FIB 物理失效分析功能扩展到大面积应用，使先进封装器件、显示器、微机电系统和光电器件的深层截面分析更加高效。
SOLARIS X 2 采用新一代 Mistral™ 氙离子 FIB 镜筒，提高了最大离子束束流，整个范围内的离子束轮廓更清晰，束流渐晕显著减少。这使得操作人员使用更高的铣削和抛光束流，获得比传统等离子FIB更优异的表面质量，但速度更快、精度更高。
SOLARIS X 2：更强 PFIB 能力，拓展应用至各大小尺度样品
作为 TESCAN 的旗舰型等离子 FIB-SEM 显微镜，SOLARIS X 2 的设计目的是在 FIB 和 SEM 束流重合点提供极高的分辨率和信号强度。这种精度使操作人员能够准确地对复杂集成电路封装堆栈、HBM 存储器和其他异质集成器件中的极小缺陷进行终点检测。
新一代离子束减少了常见的 FIB 伪影，极大程度降低了对大束流抛光方法的需求，并实现了全自动 TEM 样品制备和高效的 100 微米以下横截面切割。
TESCAN SOLARIS X 2 如何满足您的需求
性能只为结果
利用氙离子 FIB 快速去除材料的能力，加速物理失效分析。
样品深层探测
使用高达 3.3 μA 的离子束流，可探测深度达 1 毫米的亚表层结构。
纳米级精密
借助 Triglav™ 扫描电镜镜筒的高分辨成像，在铣削或横截面加工过程中实现纳米级精确终点定位。
卓越的表面灵敏度
使用 Triglav™ 扫描电镜镜筒对束流敏感材料进行超高分辨成像，其设计具有出色的表面灵敏度和衬度。
保存原始样品特性
利用 PFIB 的惰性氙离子制备高质量、无损伤的 TEM 样品，避免镓植入或表面损伤。
无伪影截面
我们的专利摇摆样品台和氙离子截面切割技术，可在大束流条件下优化离子束铣削效果，即使是在具有挑战性的材料上，也能生成干净、无伪影的截面。
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新一代集成电路封装和器件中的复杂失效分析
TESCAN SOLARIS X 2 擅长对先进堆叠IC封装（2.5D、3D IC）、倒装芯片、MEMS 器件、OLED 和 TFT 显示屏、MLCC 电容器、3D NAND 等进行物理失效分析。
揭示亚表层特征：用于 STEM 分析的精密无镓污染的 TEM 样品
从封装和集成电路级样品中生成厚度小于 100 nm 的高质量、无镓污染的 TEM 样品，非常适合后续的 STEM 分析。
利用深入的 3D EDS 和 EBSD 显微分析揭开材料的神秘面纱
利用快速、大容量三维 EDS 和 EBSD 显微分析技术，对焊球、TSV 和焊盘等先进封装器件进行全面的材料成分分析和表征。
TESCAN SOLARIS X 2 的主要优势
局部失效分析
利用 Mistral™ 氙离子 FIB 镜筒执行高度局部化的亚毫米级物理失效分析，离子束束流最大可达 3.3 µA，可快速去除材料。
无伪横截面
利用我们的集成式摇摆平台和 TRUE X-sectioning 技术优化铣削角度并抑制离子束尾迹，即使是在聚酰亚胺、碳化硅、陶瓷和玻璃等难加工材料上，也能加工出无帷幕和梯形伪影的整洁横截面。
高质量的无镓污染的 TEM 样品
Mistral™ 的增强型离子束轮廓，从半导体样品中制备无镓污染 的 TEM 样品，提高质量和效率。这项技术允许使用更高的离子束束流，但是不会破坏样品保护层。
精密的终点探测
在铣削或横截面加工过程中，利用 FIB-SEM 重合点处的高分辨率 Triglav™ SEM 成像，精确定位特定区域或缺陷（裂纹、空洞、脱层）。
时刻准备，稳定输出
电子镜筒与氙离子 FIB 镜筒的全自动光路校准功能，不仅大大节约了设置时间，更确保了样品高通量稳定质量输出。
好用才快产
TESCAN 先进的工作流程和 Essence™ 图形用户界面为用户提供操作向导，帮助各种专业水平的用户提升工作效率。
