如果您能看到关键层的晶粒结构如何随退火而变化，会怎么样？
或者加工条件不同？
晶粒结构和取向如何与成分变化和偏析相关联？
如果您能在同一个样本上看到所有这些，那岂不是改变了游戏规则？
新材料和半导体器件的技术开发和生产需要在纳米尺度上进行形态、结构和化学特征描述，以了解其化学物理特性并优化其生产工艺。
半导体器件的电气性能在很大程度上取决于各层结晶相的类型和分布，这可能会在沉积过程或个别退火步骤中受到影响。
对于半导体制造商来说，这些分析对于故障分析、产量调试和工艺开发至关重要。
显微镜的梦想就是能够在实际样品中，而不是在测试券或代理样品上，或者通过吸收多个样品的数据，看到所有这些样品的真实几何形状。
使用 TESCAN TENSOR现在，您可以在同一个样品上获得所有这些洞察力，而且测量极为方便。
先进的 4D-STEM 电子显微镜方法通过提供 STEM 图像每个像素的结构信息，扩展了传统 (S)TEM 成像和 EDS 成分分析技术的功能。
在本应用说明中、 中，我们展示了如何通过 4D-STEM 相映射实验发现锗与 GST 层在两个不同的非晶相界面上的分离，同时收集同一器件的成像和 EDS 地图。
TESCAN TENSOR 是最先进的新型 STEM 分析工具，任何用户，无论是否具备电子显微镜光学和成像模式方面的专业知识，都可以使用 TESCAN TENSOR 获得本应用说明中的结果。TENSOR 无缝集成了光束前驱、光束消隐和 4D-STEM 数据读出，使用快速灵敏的直接电子检测器，最大限度地提高了采集数据的质量和准确性。高度的自动化使操作人员能够专注于样品分析，而不是校准和调整显微镜。此外，4D-STEM 和 EDS 数据的多模态采集和分析进一步提高了相图绘制实验的质量和准确性。