先进半导体器件的自动化大面积等离子 FIB 延迟和原位纳米刻蚀
通过我们最新的网络研讨会发掘半导体器件分析的潜力。了解由TESCAN Group和Imina Technologies 介绍的自动化大面积等离子 FIB 延迟和原位纳米切割的创新方法。
本次会议涵盖了半导体扩展到 14 纳米以下技术节点所面临的挑战及其对故障分析和质量控制的影响。会议重点介绍了TESCAN 在低角度抛光 和 "钻孔喷嘴 "技术方面取得的进展 ，这些技术可用于均匀去除金属层，并可实现高达 300x300 µm² 的大面积延迟。深入了解7 纳米和 5 纳米器件的延迟工艺、自动端点检测以及 Imina Technologies 的纳米抛光平台与TESCAN 的 CLARA仪器的集成，以增强电性分析。
认识主持人
卢卡斯-赫拉迪克 来自 FIB-SEM 技术领域的知名专家 TESCAN，以及 Imina Technologies 公司的联合创始人Guillaume Boetsch 也将多年来在显微镜精密机器人技术方面的专业知识带到了这一综合会议中。
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