用于延迟的 TESCAN AMBER X
统一
延迟
利用我们为 10 纳米以下技术节点优化定制的 Nanoflat Chase 和 C-maze 气体化学成分，实现一致的无伪影延迟。
设备
完整性
我们采用惰性氙离子进行精确的低 kV 等离子 FIB 铣削，以保持电气性能，从而实现精细操作。
故障
本地化
我们的镜内检测技术经过改进，可进行有效的被动电压对比成像，从而简化缺陷隔离工作。
延迟
自动化
利用我们的智能 TESCAN DelayeringTM 软件简化端点确定工作，自动延迟到目标层。
电气
分析
利用兼容的行业领先纳米探针解决方案，促进电气故障的现场验证或鉴定。
用户
生产力
通过直观的 TESCAN EssenceTM 图形用户界面，提高各种专业水平用户的操作效率。
探索 TESCAN AMBER X
用于延迟
用于延迟的 TESCAN AMBER X 的优势
利用基于扫描电子显微镜（SEM）的纳米探测技术，对各种半导体节点上的 NMOS 和 PMOS 晶体管进行详细的表征，促进精确的层定位，实现有效的延迟。
基于扫描电子显微镜的深度纳米探测
利用先进的基于 SEM 的
Nanoprobing 来准确
表征 NMOS 和 PMOS
晶体管，涵盖
半导体节点，包括
22、14、10 和 5 纳米。
有针对性的均匀延迟
通过
先进的自动化功能，实现细致统一的
延迟，该功能可敏锐地
识别并停止在堆栈内
指定的层上。
一致的大面积延迟
利用我们专门的 "钻孔 "喷嘴，可确保在 300 × 300 μm2 的大面积范围内进行广泛、均匀的延时。