高效利用资源
该系统采用预编程配方，可在无人值守的情况下实现一致的等离子 FIB 延迟，并保持设备的完整性，从而增强您的研究能力。
专有化学集成
Xe Plasma FIB 与 TESCAN 的 m 的协同作用使您受益匪浅，TESCAN 的 m 专为优化当代半导体节点的延迟而设计。
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使用 Nanoflat 和 C-maze 化学方法自动延迟 7 纳米 FinFET CPU 器件的多个底层。
定制和
一致性
利用预定义模板制作和应用独特的延时工艺，确保在不同样品上的统一应用和可重复性。
深入
监测
利用 TESCAN 延时模块中的峰值识别功能，通过精密的端点检测跟踪延时进度，从而实现精确停机。
A) 在延迟过程中对 FIB 端点信号进行实时峰值检测。
B) 14 纳米器件延迟到 M0。在 500 eV 下进行成像和探测。
不间断
保证
依靠自动流程，在到达关键层之前停止延迟，保障设备功能。
EssenceTM自动延时的高级应用
增强成像
利用 1 kV 以下的扫描电子显微镜成像技术实现明显的电压对比和快速故障识别。
化学选项
有多种延时化学试剂可供选择，如 Nanoflat、Chase 和 C-maze，适合各种类型的样品。
精华模块
利用 Essence 逐层剥离模块对整个 3D NAND 堆栈进行均匀蚀刻，确保进行全面分析。