TESCAN Plasma FIB-SEM 的主要优点
目的驱动的性能
利用 Xe PFIB 的快速材料去除能力，加速高效的物理失效分析。
样本深度
使用3μA的最大离子束电流，可达到1mm深度的埋藏结构。
纳米级的精确性
在研磨或断面切割过程中，利用Triglav™ SEM柱的高分辨率成像，实现纳米级精确的端点定位。
卓越的表面敏感性和高材料对比度
使用TESCAN的Triglav™扫描镜筒对电子束敏感材料进行超高分辨率成像，其设计具有极佳的表面灵敏度和材料对比度。
原始样品的保存
用Plasma FIB的惰性Xe离子制备高质量、无损伤的TEM样品，消除了Ga注入或表面损伤。
无伪影的结果
使用我们的专利摇摆样品台来摆动角度切割，利用硅挡板优化最高电流下离子束的最有效中心，能创造出无窗帘效应的横截面，即使用在具有挑战性的复合材料上也没问题。
用户驱动界面
TESCAN Essence™ 图形用户界面的先进工作流程帮助用户提高生产力。
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解密复杂失效：分析下一代集成电路封装和设备
对先进的堆叠式IC封装（2.5D、3D IC）、倒装芯片、MEMS器件、OLED和TFT显示器、MLCC电容器、3D NAND等进行物理失效分析。
揭密材料：深入三维EDS和EBSD微分析
采用快速的大体积三维EDS和三维EBSD微分析，对先进的封装设备，如焊球、TSV和键合垫进行深入的材料成分分析和表征。
揭示亚表层特征：为STEM分析制作无Ga污染的TEM薄片
从封装和IC级样品中产生精确的、高质量的、无Ga污染的TEM薄片，用于后续的STEM分析。
用我们的解决方案提升你的分析能力
TESCAN True X-Sectioning 硅挡板技术
既不影响大束流加工，又能节省时间，获得无波纹的 PFIB 横断面。